На світовому ринку фотоелектричних елементів домінують елементи з кристалічного кремнію. Підвищення ефективності та зниження вартості кристалічної кремнієвої батареї є ключем до розвитку фотоелектричної промисловості. Від первинних масово вироблених алюмінієвих елементів заднього поля до PERC (емітерна пасивація та зворотний контакт), до HJT (гетеропереходу внутрішнього аморфного шару) елементів і TOPCon (тунельно-оксидних контактних елементів) і до майбутніх ламінованих елементів, Ефективність фотоелектричних елементів наближається до межі, що призводить до прориву у вартості та масштабах.
Хоча технологія фотоелектричних елементів була повторена, а ефективність була покращена, основний принцип і основний процес кристалічних кремнієвих елементів не змінилися, тобто очищення кашеміру, дифузійний вузол, пасиваційне покриття, металізація в чотири етапи.
1) Очищення флокування в основному використовується для видалення домішок і пошкодженого шару на поверхні кремнієвої пластини, флокування використовується для формування пірамідальної структури на поверхні кремнієвої пластини для зменшення відбивної здатності.
2) PN-перехід є основною структурою фотоелектричних елементів. Зазвичай він підходить для однорідних батарей.
3) пасиваційна плівка утворюється на поверхні клітини шляхом вакуумного покриття, що відіграє ключову роль у підвищенні ефективності клітини та є основною відправною точкою підвищення ефективності клітини.
4) Металізація використовується для формування переднього та заднього електродів фотоелектричного елемента, як правило, шляхом трафаретного друку. Процес металізації тісно пов'язаний з процесом пасивації та відіграє ключову роль у зменшенні неосновної рекомбінації та втрати опору. Крім того, також включає в себе травлення, виявлення та інші загальні кроки, у різних технологічних лініях акумуляторів мало відмінностей.