Знання

Тріщини, методи ідентифікації та запобігання фотоелектричних модулів

Mar 21, 2022Залишити повідомлення

Фотоелектричні: тріщини в модулях, гарячі точки та ефекти PID є трьома важливими факторами, які впливають на продуктивність фотоелектричних модулів із кристалічного кремнію. Сьогодні я покажу вам причини тріщин клітин, як їх визначити і запобігти.


1. Утворення та класифікація тріщин у фотоелектричних модулях


Cracks are a relatively common defect in crystalline silicon photovoltaic modules. In layman's terms, they are micro-cracks that are invisible to the naked eye. Due to the characteristics of its own crystal structure, crystalline silicon components are very prone to cracking. In the process flow of crystalline silicon module production, many links may cause cell cracks. The root cause of cracks




Зовнішнє зусилля: на акумулятор буде впливати зовнішня сила під час зварювання, ламінування, оформлення або обробки, тестування тощо. Якщо параметри налаштовані неправильно, поломка обладнання або неправильна робота призведе до появи тріщин.


Висока температура: осередок попередньо не нагрівається при низькій температурі, а потім раптово стикається з високою температурою за короткий час, а потім розширюється, що спричинить утворення тріщин, таких як надмірна температура зварювання, необґрунтована настройка температури ламінування та інші параметри.




Сировина: дефекти сировини також є одним з основних факторів, що призводять до розтріскування.


За формою тріщини осередку її можна умовно розділити на 5 типів: тріщина дерева, комплексна тріщина, коса тріщина, паралельна шині, перпендикулярна сітці та тріщини, що пронизують всю комірку.


2. The impact of "cracking" on component performance




Струм, що генерується сонячними елементами з кристалічного кремнію, в основному збирається та експортується лініями шин і тонкими лініями сітки, поверхні яких перпендикулярні одна одній. Таким чином, коли тріщини (переважно тріщини паралельні шин) призводять до розриву тонких ліній сітки, струм не буде ефективно доставлятися на шини, що призведе до часткового або навіть виходу з ладу елемента, а також може спричинити сміття, гарячі точки тощо. ., водночас викликають ослаблення потужності компонентів.


Third, the method of identifying "cracks"




EL (Electroluminescence, electroluminescence) — це різновид обладнання для виявлення внутрішніх дефектів сонячних елементів або компонентів, яке є простим і ефективним методом виявлення тріщин. Використовуючи принцип електролюмінесценції кристалічного кремнію, ближнє-інфрачервоне зображення компонента фіксується інфрачервоною-камерою високої роздільної здатності для отримання та визначення дефектів компонента. Він має переваги високої чутливості, швидкої швидкості виявлення та інтуїтивно зрозумілих результатів. На малюнку нижче представлений результат тесту EL, на якому чітко видно різні дефекти та тріщини.


Fourth, the reasons for the formation of "cracks"


There are many factors that cause module cracks, and there are many types of cracks, but not all cracks will affect the cells, not to mention "hidden" discoloration, as long as scientific prevention can properly prevent the modules from cracking. During the production process, improper external force intervention should be avoided for the cells, and attention should be paid to the temperature range of the storage environment. During the welding process, the battery should be kept warm in advance (hand welding). The temperature of the soldering iron should meet the requirements. In the process of module production, transportation, installation and maintenance, considering the cracking characteristics of crystalline silicon modules, it is necessary to pay attention to and improve the operation process in each process of installing the power station to minimize the occurrence of module cracks.




П'яте, основні моменти запобігання тріщин у фотоелектричних модулях


In the production process and subsequent storage, transportation, and installation, avoid improper external force intervention on the battery cells, and also pay attention to the temperature change range of the storage environment. 

与此原文有关的更多信息要查看其他翻译信息,您必须输入相应原文


Послати повідомлення